Post Doctorat « Simulation - Caractérisation Des Transistors Mos Biot

Nous recherchons notre futur.e Post doctorant.e « simulation - caractérisation des Transistors MOS » ! Cet emploi s'inscrit dans le programme Européen « IPCEI on Microelectronics » (Important Projects of Common European Interest on Microelectronics, www.ipcei-me.eu/) qui vise à développer le leadership européen dans le domaine des semi-conducteurs. La très forte et longue collaboration entre des membres du laboratoire Polytech'Lab et STMicroelectronics depuis plus de 20 ans permet de collaborer (entres autres) sur des technologies innovantes dédiées aux mémoires Flash et aux transistors périphériques ou destinés à d'autres applications. Le transistor MOS est à l'origine d'une profonde mutation de notre société depuis les années 70. En raison de ses performances, cet élément de base de l'électronique a permis l'émergence d'un nombre considérable d'appareils électronique et d'applications. Ainsi, nous avons au quotidien avec nous plusieurs centaines de millions ou milliards de transistors MOS dans nos : téléphone portable, carte bancaire, ordinateur, tablette, voiture, vélo électrique . En fonction des applications (haute performance, bas coût, basse énergie .) et de la réduction des dimensions des transistors, il est nécessaire d'étudier certaines solutions technologiques pour modifier/adapter les transistors. C'est dans le cadre de ce type d'étude que se situe cet emploi.
Rejoignez-nous au sein d'Université Côte d'Azur, reconnue depuis 2016 pour son excellence scientifique et pédagogique, pour créer ensemble le modèle de l'université du 21ème siècle responsable et innovante.

Vos missions :

L'objectif principal est d'étudier les propriétés électriques de certains transistors MOS conçus par STMicroelectronics. Une catégorie de ces transistors intègrent une couche de nitrure dans l'isolant de grille ce qui permet de les transformer en transistors mémoires. Plusieurs axes pourront être adressés comme : étude de l'implant d'ajustement du VT et des LDD sur les courants et notamment le courant de porteurs chauds / localisation le long du transistor de la dégradation par porteurs chauds / localisation des charges piégées et dépiégées (mémorisation des états 1 et 0) dans la couche nitrure en fonction du type de courant appliqué. Pour cet emploi, il sera nécessaire de réaliser :

- Des simulations TCAD (Technology Computer-Aided Design) 2D et 3D afin de faire des prédictions sur le comportement des transistors.
- Des extractions de paramètres électriques avec les logiciels du laboratoire et à partir de mesures fournies par STMicroelectronics. Utilisation de la TCAD pour interpréter certains résultats.
- En fonction des besoins, faire des mesures sur les transistors avec les stations sous pointes du laboratoire. D'autres missions pourront être confiées en fonction de l'avancement des travaux de recherche.

Profil recherché :

Vous possédez une expérience préalable en modélisation, en simulation TCAD , en caractérisation électrique, en programmation Python seront également appréciées. Ces compétences ne sont pas obligatoires et pourront être acquises au cours du CDD. Avant tout, une passion pour la physique, la caractérisation électrique et la création de solutions innovantes est essentielle.
transistors MOS applications

Informations sur l'offre d'emploi :

• Domaine : Management et ingénierie études, recherche et développement industriel
• Date d'ajout : 25/03/2024 11:49:36
• Type de contrat : CDD - 12 Mois (CDD)
• Salaire : Selon profil
• Horaires : 35H Travail en journée (Temps plein)
• Expérience demandée : 3 An(s)
• Société : UNIVERSITE COTE D AZUR
• Emplois électronique Biot , Emplois CDD Biot ,

(S) : souhaité - (E) : exigé